IHW30N160R2FKSA1

INFINEON  IHW30N160R2FKSA1  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

• 极低 VCEsat

• 低关闭损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最高接点温度 175°C

欧时:
Infineon IHW30N160R2FKSA1 N沟道 IGBT, Vce=1600 V, 60 A, 3引脚 TO-247封装

得捷:
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3

贸泽:
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

富昌:
IHW30N160R2 Series 1600 V 30 A Through Hole Reverse conducting IGBT-PG-TO247-3

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Newark:
IGBT Single Transistor, 60 A, 1.8 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pins