20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 LGA 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
## 应用
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| CSD85302L | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD86350Q5DEVM-604 | TI 德州仪器 | 下载 |
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