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CSD88539ND概述

TEXAS INSTRUMENTS CSD88539ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V

这款双路小外形尺寸 SO-8，60V，23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2，2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

## 应用范围

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