BSC196N10NSGATMA1

BSC196N10NSGATMA1概述

INFINEON  BSC196N10NSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 16.7 mohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
.
* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC196N10NSGATMA1, 45 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSC196N10NSGATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 100 V, 16.7 mohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8


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