STGW20H65 系列 650 V 20 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-247
IGBT 沟槽型场截止 650 V 40 A 168 W 通孔 TO-247-3
得捷:
IGBT 650V 40A 168W TO247
艾睿:
IGBT Chip
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 3-Pin TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 168000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 168000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
儒卓力:
**IGBT 650V 20A 1,55V TO247-3 **
Win Source:
IGBT 650V 40A 168W TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 40 A 168 W Through Hole TO-247-3
型号 | 品牌 | 下载 |
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STGW20H65FB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGW20H60DF | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGW35HF60W | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT30H65FB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT30H60DFB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGW19NC60W | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT40H60DLFB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT40H65DFB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGW30H60DFB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT20H60DF | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT30V60F | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |