PMV117EN

PMV117EN N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM1 低RDS/高饱和电流能力

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W Description & Applications| µTrenchMOS™ enhanced logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a plastic package using TrenchMOS™ technology Logic level threshold Very fast switching Low threshold voltage Surface-mounted package 描述与应用| μTrenchMOS™增强逻辑电平FET 一般说明 逻辑电平N沟道增强型场效应（FET）在一个塑料 包装使用TrenchMOS™技术 逻辑电平阈值 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装