C3M0065100K

MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.新 C3M 碳化硅 SiC MOSFET 技术 在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V 新低阻抗封装，带驱动器源 漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙 高速切换，具有低输出电容 高阻塞电压，带低漏-源通态电阻 可耐受雪崩 快速固有二极管，带低反向恢复 ### MOSFET 晶体管，Cree Inc.

碳化硅功率 MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.

新 C3M 碳化硅 SiC MOSFET 技术

在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V

新低阻抗封装，带驱动器源

漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙

高速切换，具有低输出电容

高阻塞电压，带低漏-源通态电阻

可耐受雪崩

快速固有二极管，带低反向恢复

欧时:
Wolfspeed C3M 系列 SiC N沟道 MOSFET C3M0065100K, 35 A, Vds=1000 V, 4引脚 TO-247封装

得捷:
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L

艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin4+Tab TO-247

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; C3M™, SiC

Newark:
# WOLFSPEED  C3M0065100K  MOSFET, N-CH, 1KV, 35A, TO-247 New