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MG12150D-BA1MM概述

LITTELFUSE MG12150D-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 210A, 1.8V, 1.1kW, 1.2kV, Module

IGBT 模块 - 半桥底座安装 D3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3

贸泽:
IGBT Modules 1200V 150A Dual

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 210A 7-Pin Package D Bulk

TME:
IGBT half-bridge; Urmax:1.2kV; Ic:150A; P:1.1kW; Ifsm:300A; screw

Newark:
# LITTELFUSE MG12150D-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 210 A, 1.8 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module

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