NXP PBSS5540Z 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 120 MHz, 1.35 W, 5 A, 350 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 350 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -170mV/-0.17V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.35W Description & Applications| 40 V low VCEsat PNP transistor FEATURES • Low collect • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation. • NPN complement: PBSS4540Z. APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Battery management applications • DC/DC converter applications • Strobe flash units • Heavy duty battery powered equipment motor and lamp drivers • MOSFET driver applications 描述与应用| 40伏的低VCE（sat）的PNP 特点 •低收集 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流能力 •提高设备的可靠性，由于减少热量的产生。 •NPN补充：PBSS4540Z。 应用 •供电线路开关电路 •电池管理应用 •DC / DC转换器应用 •闪光灯单元 •重载电池供电设备（电机和灯驱动器） •MOSFET驱动器应用