SPB18P06PGATMA1

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）

· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

得捷:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

立创商城:
P沟道 60V 18.7A

欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# INFINEON  SPB18P06PGATMA1  MOSFET Transistor, P Channel, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V