Transistor: IGBT; 1.2kV; 150A; 1.1kW; 2-109C1A
High Power Switching applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.5µs max
trr = 0.5µs max
Low saturation voltage
: VCE sat = 4.0V max
Enhancement-mode
Includes a complate half bridge in one package.
The electrodes are isolated from case.
TME:
Transistor: IGBT; 1.2kV; 150A; 1.1kW; 2-109C1A
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| MG150Q2YS40 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| MG150J7KS61 | Powerex | 下载 |
| MG150J2YS50 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| MG15Q6ES50 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| MG15Q6ES42 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| MG15Q6ES50A | Toshiba 东芝 | 下载 |
| MG150Q2YS65H | Toshiba 东芝 | 下载 |
| MG150Q2YS51 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| MG150Q2YS50 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| MG15B102K500CT | Walsin Technology 台湾华科 | 下载 |
| MG150M2YK1 | Toshiba 东芝 | 下载 |