STGE200NB60S

STMICROELECTRONICS  STGE200NB60S  单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP

欧时:
IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

贸泽:
IGBT 模块 N-Ch 600 Volt 150Amp

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600000mW 4-Pin ISOTOP Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 4-Pin ISOTOP Tube

富昌:
STGE200NB60S 系列 N 沟道 600 V 200 A 低压差 低功耗MESH IGBT - ISOTOP

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 4-Pin ISOTOP Tube

TME:
Urmax:600V; Ic:150A; P:600W; Ifsm:400A; ISOTOP; screw; screw

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600000mW 4-Pin ISOTOP Tube

Newark:
IGBT Single Transistor, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins