BF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流Id Drain Current| 10mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V 描述与应用| 硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声，高增益控制 高达1GHz的输入阶段 •工作电压5V
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BF2030W | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF2030WE6814BTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF201-6P | Memory Protection Devices | 下载 |
| BF201-2P | Memory Protection Devices | 下载 |
| BF204-4P | Memory Protection Devices | 下载 |
| BF201-10P | Memory Protection Devices | 下载 |
| BF2040WH6814XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF2030E6814HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF2030RE6814HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF2040RE6814HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF20292-24B | JKL 京客隆 | 下载 |