FDMC2610

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 200V 2.2A Ta, 9.5A Tc 2.1W Ta, 42W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3

得捷:
N-CHANNEL ULTRAFET TRENCH MOSFET

欧时:
### UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.2A 8-Pin MLP EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.2A 8-Pin MLP EP T/R

富昌:
FDMC2610 系列 200 V 200 mOhm N沟道 UltraFET Trench Mosfet - Power-33-8

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.2A 8-Pin MLP EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin MLP EP T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC2610  MOSFET Transistor, N Channel, 2.2 A, 200 V, 200 mohm, 10 V, 3.2 V

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8