CSD25402Q3A数据手册PDF_CSD25402Q3A中文资料-锐单商城

CSD25402Q3A概述

TEXAS INSTRUMENTS CSD25402Q3A 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mV

这款 -20V，7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少 SON 3 × 3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。

顶视图 RθJA = 55°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2 铜过渡垫片（2 盎司）上测得的典型值。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

## 应用范围

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