TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
这款 100V,5.3mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
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要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 1.0°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%
## 应用范围
型号 | 品牌 | 下载 |
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CSD19531Q5A | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD16301Q2 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17308Q3 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD163CEVM-591 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17483F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD13381F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17483F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD13381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD13383F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17484F4 | TI 德州仪器 | 下载 |