TPC6001

TPC6001 N沟道MOSFET 20V 6A SOT-163/SOT23-6/VS-6 marking/标记 S2A 高速开关/低导通电阻

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.03Ω/Ohm @3A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.2W Description & Applications| Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS ON = 22 mΩ typ. • High forward transfer admittance: |Yfs| = 15 S typ. • Low leakage current: IDSS = 10 µA max VDS = 20 V • Enhancement mode: Vth = 0.5 to 1.2 V VDS = 10 V, ID = 200 µA 描述与应用| 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RD（ON）= 22mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS|=15 S（典型值） •低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=20 V） •增强模式：VTH =0.5至1.2 V（VDS=10V，ID=200μA）