硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS=0.010 Ωtyp.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
Win Source:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| 2SK2955-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| 2SK211-GR | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK2611 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK2837 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK2698 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK2201 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK211-Y | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK2225 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| 2SK2313 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK209-GRTE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SK2593JQL | Panasonic 松下 | 下载 |