PBSS5350D

NXP  PBSS5350D  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 600mW/0.6W Description & Applications| PNP transistor FEATURES • High current capabilities • Low VCEsat • NPN complement: PBSS4350D. APPLICATIONS • Heavy duty battery powered equipment Automotive,Telecom and Audio/Video such as motor and lamp drivers. • VCEsat critical applications such as the latest low supply voltage IC applications • All battery driven equipment to save battery power 描述与应用| PNP 特点 •高电流能力 •低VCESAT •NPN补充：PBSS4350D。 应用 •重载电池供电设备（汽车，电信和音频/视频），如电机和灯驱动器。 VCE监测的关键应用，如最新的低电源 电压IC应用 •所有电池驱动的设备，以节省电池电量