先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
Advanced Power MOSFET
FEATURES
♦Logic-Level Gate Drive
♦Avalanche Rugged Technology
♦Rugged Gate Oxide Technology
♦Lower Input Capacitance
♦Improved Gate Charge
♦Extended Safe Operating Area
♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 100V
♦Lower RDSON: 0.336ΩTyp.
贸泽:
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Win Source:
Advanced Power MOSFET
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| IRL630A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRL6342PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL6342TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL6372TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL6372PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL6297SDTRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL640A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRL6283MTRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRL610A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRL620A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRL640STRLPBF | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |