300mW，BZX585 系列，NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX585-B 和 5% BZX585-C 表面安装外壳，SOD-523 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors
额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 5V \---|--- 平均Typ.| 5.1V 最大max.| 5.2V 误差Tolerance| 2% 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 40Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 2uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| • Voltage regulator diodes • Total power dissipation: max. 300 mW • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max.40 W. • Low-power voltage regulator diodes 描述与应用| 电压稳压二极管 •总功耗：最大。 300毫瓦 •非重复性峰值反向功耗：最大40 W。 •低功耗稳压二极管
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BZX585-B5V1 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BZX55C5V6 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| BZX55C20 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| BZX55C18 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C4V7 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C5V6 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C15 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C4V3 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C10 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C8V2 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |
| BZX55C5V1 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 下载 |