BC858CLT1

BC858CLT1概述

通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 PNP硅 特点 •无铅包可用

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BC858CLT1

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