VISHAY SI4686DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side DC-to-DC conversion applications.
| 型号 | 品牌 | 下载 |
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| SI4686DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI4682-A10-GM | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4688-A10-GM | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4684-A10-GM | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4684-A10-GDR | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4682-A10-GDR | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4684-A10-GMR | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4688-A10-GDR | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4682-A10-GMR | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4688-A10-GMR | Silicon Labs 芯科 | 下载 |
| SI4689-A10-GM | Silicon Labs 芯科 | 下载 |