FDG313N

N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 950mA/0.95A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.45Ω/Ohm @500mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 750mW/0.75W Description & Applications| Digital FET, N-Channel General Description This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using "s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistor and small signal MOSFET. Features • 0.95 A, 25 V. R DSon= 0.45 Ω @ V GS = 4.5 V R DSon= 0.60 Ω @ V GS = 2.7 V. • Low gate charge 1.64 nC typical • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits VGSth < 1.5V. • Gate-Source Zener for ESD ruggedness >6kV Human Body Model. • Compact industry standard SC70-6 surface mount package. 描述与应用| 数字FET，N沟道 概述 这N沟道增强型场效应 的生产采用飞兆半导体专有的，高 细胞密度，DMOS技术。这非常高密度 特别是针对减少通态过程 阻力。该设备已被特别设计 作为替代低电压应用 双极数字晶体管和小信号MOSFET。 •低栅极电荷（典型值1.64 NC） •非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作3V电路（VGS（TH）<1.5V）。 •门源齐纳二极管ESD坚固 （>6kV人体模型）。 •紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装