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FQP27P06概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27P06 晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V

仙童公司的是一个通孔安装的-60V P通道 QFET MOSFET, TO-220封装. 此设备具有平面条形带和DMOS技术, 经量身设计可最小化通导电阻并提供卓越的转换性能以及高雪崩能量强度. 产品适合转换模式电源, 音频放大器, 直流电机控制和可变转换电源应用.

.: 典型低反向传输电容: 120pF

.: 典型低栅极电荷: 33nC

.: 漏极至源极电压: -60V

.: 栅-源电压: ±25V

.: 持续漏电流ld: -27A

.: 功率耗散: 120mW

.: 55ohm低通导电阻:, Vgs -10V

.: 工作温度范围: -55°C至175°C

FQP27P06详细参数

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