NESG2031M05-T1-A

NESG2031M05-T1-A NPN三极管 13V 100mA/0.1A 14Mhz~17Mhz 130~260 SOT-343 marking/标记 T1H 高频三极管

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 13V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 5V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 14Mhz~17Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 130~260 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 175mW/0.175W Description & Applications| •"s NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SiGe TECHNOLOGY VCEO = 5 V Absolute Maximum • HIGH OUTPUT POWER: P1dB = 21 dBm at 2 GHz • LOW NOISE FIGURE: NF = 0.9 dBm at 2 GHz • HIGH MAXIMUM STABLE POWER GAIN: MSG = 17 dB at 2 GHz • LOW PROFILE M05 PACKAGE: SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm Flat lead style for better RF performance 描述与应用| •NEC的NPN硅锗高频三极管 高击穿电压的SiGe技术      VCEO= 5 V（绝对最大值） •高输出功率：      的P1dB=21 dBm的在2 GHz •低噪声系数：     NF= 0.9 dBm的在2 GHz •最大稳定功率增益：      味精= 17分贝在2 GHz •超薄M05包装：      SOT-343的足迹，与仅为0.59毫米的高度     单位领导风格更好RF性能