MA22D2300L

•硅外延平面型•对于高频整流•IF（AV）=1整改是可能的。•高IFSM（IFSM=30）•小反向电流IR。•肖特基势垒二极管（SBD）

反向电压VrReverse Voltage| 25V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 1A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 530mV/0.53V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Silicon epitaxial planar type • For high frequency rectification • IFAV = 1 A rectification is possible. • High IFSM IFSM = 30 A • Small reverse current IR. •Schottky Barrier Diodes SBD 描述与应用| •硅外延平面型 •对于高频整流 •IF（AV）=1整改是可能的。 •高IFSM（IFSM=30） •小反向电流IR。 •肖特基势垒（SBD）