IRF9510PBF

IRF9510PBF概述

VISHAY  IRF9510PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

The is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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-55 to 175°C Operating temperature range
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Ease of paralleling
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Simple drive requirements
IRF9510PBF数据文档
型号 品牌 下载
IRF9510PBF

Vishay Semiconductor 威世

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