100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、61mΩ 8-VSONP -55 to 150
这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 PoE 应用中的电路板 尺寸。
## 应用范围
All trademarks are the property of their respective owners.
型号 | 品牌 | 下载 |
---|---|---|
CSD19538Q3A | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD16301Q2 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17308Q3 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD163CEVM-591 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17483F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD13381F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17483F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD13381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD13383F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD17484F4 | TI 德州仪器 | 下载 |