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PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

General Description

This P-Channel MOSFET has been produced using Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDSonand optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications. and optimized switching performance capability reducing power dissipation losses in converter/inverter applications.

Features

Max rDSon= 12.3mΩat VGS= -10V, ID= -12.7A

Max rDSon= 18.0mΩat VGS= -4.5V, ID= -10.4A

High performance trench technology for extremely low rDSon

Qualified to AEC Q101

RoHS Compliant