SKM200GB12E4数据手册PDF_SKM200GB12E4中文资料-锐单商城

SKM200GB12E4概述

SEMIKRON SKM200GB12E4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

双 IGBT 模块

SEMITOP® IGBT 模块包含两个串联（半桥）IGBT 设备。该模块提供各种电压和电流额定值，且适用于各种功率切换应用，如交流变频电动机驱动器和不间断电源。

紧凑型 SEMITOP® 封装

适用于高达 12kHz 的切换频率

绝缘铜基板使用直接粘结技术

欧时:
IGBT Module Half-Bridge 314A 1200V

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 314A 7-Pin

Newark:
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

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