BU52055GWZ-E2

BU52055GWZ-E2概述

霍耳效应传感器,ROHM Semiconductor集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍耳效应传感器,ROHM Semiconductor

霍耳效应,

集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。

### 霍耳效应传感器,ROHM Semiconductor


得捷:
MAGNETIC SWITCH OMNIPOL UCSP35L1


立创商城:
全极检测霍尔IC


欧时:
ROHM BU52055GWZ-E2 霍尔效应传感器, 全极性磁场, 5.5 mT, 4引脚 UCSP35L1封装


艾睿:
Hall Effect Sensor 0.5mA Omnipolar 1.8V/2.5V 4-Pin UCSP T/R


安富利:
Hall Effect Sensor 0.5mA Omnipolar 1.8V 4-Pin UCSP Embossed T/R


Chip1Stop:
Hall Effect Sensor 0.5mA Omnipolar 1.8V/2.5V 4-Pin UCSP T/R


Win Source:
MAGNETIC SWITCH OMNIPOL UCSP35L1


BU52055GWZ-E2数据文档
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BU52055GWZ-E2

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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