IHW30N110R3数据手册PDF_IHW30N110R3中文资料-锐单商城

IHW30N110R3概述

INFINEON IHW30N110R3 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

极低 VCEsat

低关闭损耗

短尾线电流

低 EMI

最高接点温度 175°C

### IGBT 分立件和模块，Infineon

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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