FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC640P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -1 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.037Ω @-4.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| • Rugged gate rating ±12V. • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM-6 package: small footprint 72% smaller than standard SO-8; low profile 1mm thick. 描述与应用| •坚固的门评级（±12V）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| FDC640P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC6330L | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC6331L | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC637BNZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC642P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC637AN | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC655BN | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC653N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC658P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC6401N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDC6561AN | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |