-30V,-4A,P沟道MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.053Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--1.3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS V = -30V ID = -4.2 A VGS = -10V RDSON < 50mΩ VGS = -10V RDSON < 65mΩ VGS = -4.5V RDSON < 120mΩ VGS = -2.5V 描述与应用| VDS（V）=-30V ID=-4.2 A（VGS=-10V） RDS（ON）<50MΩ（VGS=-10V） RDS（ON） <65mΩ（VGS=-4.5V） RDS（ON） <120MΩ（VGS=-2.5V）
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
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