INFINEON BSO301SPHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 V
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO301SPHXUMA1, 14.9 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
立创商城:
P沟道 30V 12.6A
e络盟:
INFINEON BSO301SPHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 V
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this BSO301SPHXUMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 1790 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with optimos technology.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A Automotive 8-Pin DSO T/R
型号 | 品牌 | 下载 |
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BSO301SPHXUMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSO330N02KGFUMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSO303PNTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSO301SPNTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSO300N03S | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSO301SP H | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSO330N02K G | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSO303SPHXUMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
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BSO303P H | Infineon 英飞凌 | 下载 |
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