MTM861240L

MTM861240L P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.1ohm SOT-563 marking/标记 DM 功率MOSFET 小型封装

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V

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最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 10V

最大漏极电流IdDrain Current| -2A

源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.1Ω @-1A,-4V

开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.3V

耗散功率PdPower Dissipation| 540mW/0.54W

Description & Applications| P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

描述与应用| P沟道增强模式 功率MOSFET 简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备