BCP55-10

BCP55-10概述

NXP  BCP55-10  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 60V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 130MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 63~160

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V

耗散功率PcPower Dissipation| 1.33W

Description & Applications| NPN medium power transistor FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Switching.

描述与应用| NPN中等功率 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •开关。

BCP55-10数据文档
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