PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -4A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 60MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -375mV/-0.375V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 550mW/0.55W Description & Applications| 40 V low VCEsat PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • High efficiency leading to less heat generation. • NPN complement: PBSS4540X. APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Battery management applications • DC/DC converter applications • Strobe flash units • Medium power driver e.g. relays, buzzers and motors. 描述与应用| 40伏的低VCE（sat）的PNP 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力：IC和ICM •高效率导致更少的热量发电。 •NPN补充：PBSS4540X。 应用 •供电线路开关电路 •电池管理应用 •DC / DC转换器应用 •闪光灯单元 •中等功率驱动器（如继电器，蜂鸣器和电机）。