INFINEON IKW30N60H3FKSA1 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
得捷:
IGBT 600V 60A 187W TO247-3
欧时:
Infineon IKW30N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; Series: H3
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
IGBT Single Transistor, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Win Source:
IGBT 600V 60A 187W TO247-3
型号 | 品牌 | 下载 |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N60T | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N60H3 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N60TA | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N60TFKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
IKW30N65WR5 | Infineon 英飞凌 | 下载 |