SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
SiGe 射频双极，
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
欧时:
### SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BFP640ESDH6327 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP640E6327BTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP620E7764BTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP650E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP650 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP620H7764XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP650H6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP640FH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP620FH7764XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP640H6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |