BFS17LT1

BFS17LT1 NPN三极管 25V 25mA 1.3GHz 20~150 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 E1D 低噪声放大器 振荡器 混频器

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 25mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 1.3GHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 20~150 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| NPN silicon High-Frequency transistor Designed primarily for use in high–gain, low–noise amplifier, oscillator and mixer applications. Packaged for thick or thin film circuits using surface mount components. 描述与应用| NPN硅高频晶体管 主要设计用于在高增益，低噪声放大器，振荡器和混频器应用中使用。包装厚膜或薄膜电路，采用表面贴装元件。