INFINEON BSC042NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.1 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
立创商城:
N沟道 75V 100A 19A
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042NE7NS3GATMA1, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 TDSON封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.1 V
艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Infineon Technologies&s; BSC042NE7NS3GATMA1 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with optimos technology.
安富利:
MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC042NE7NS3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 75 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
型号 | 品牌 | 下载 |
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BSC042NE7NS3GATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC067N06LS3G | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC028N06NSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC0909NSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC059N04LSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC080N03LSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC0904NSIATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC050NE2LSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC090N03MSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |