BAV170E6433HTMA1

BAV170E6433HTMA1概述

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

低泄漏,

Infineon 的低泄漏二极管,提供单和双配置。 这些设备提供比标准小信号二极管显著较低的反向泄漏电流


得捷:
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23


欧时:
Infineon 二极管 BAV170E6433HTMA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
Diode Switching 85V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BAV170E6433HTMA1数据文档
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BAV170E6433HTMA1

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