NXP BC858W 晶体管 双极-射频, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 800 hFE 新
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −30V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A
截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800
管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V
耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W
Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 65 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification.
描述与应用| PNP通用 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BC858W | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC856ALT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC856BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857C | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC858CLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BS | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC857B,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC858B,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC856BW | NXP 恩智浦 | 下载 |