BSP603S2LHUMA1

BSP603S2L 系列 55 V 33 mOhm N沟道 OptiMOS™ 小信号 晶体管 - SOT-223

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装（无铅）

超低 Rdson

欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP603S2LHUMA1, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装

得捷:
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4

贸泽:
MOSFET N-CHANNEL_55/60V

艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this BSP603S2LHUMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 1800 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos technology.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin SOT-223 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R