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IPD90R1K2C3BTMA1概述

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3

欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

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