55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFET
Power MOSFET, Pulsed Drain Current 440 A, Input Capacitance 3450 pF
* Advanced process technology
* Ultra low on-resistance
* 150 °C operating temperature
* Fast switching
* Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
* Lead-free
Specifically designed for automotive applications, this HEXFET® power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 °C junction operating temperature
型号 | 品牌 | 下载 |
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IRF3205ZPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF3205STRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
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