STGWT60H65DFB

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

立创商城:
STGWT60H65DFB

得捷:
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

欧时:
### IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

艾睿:
This powerful and secure STGWT60H65DFB IGBT transistor from STMicroelectronics will make sure your circuit works properly. Its maximum power dissipation is 375000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 650 V. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -40 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-3P Tube

富昌:
HB Series 650 V 60 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-3P

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube