RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 1090MHz, 50V, LDMOS, SOT1806
RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4S GULL
得捷:
IC TRANS RF LDMOS
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin NI-1230S T/R
安富利:
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHZ, 1000 W PE
RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 1000 W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 1090 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1806
型号 | 品牌 | 下载 |
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AFV121KGSR5 | NXP 恩智浦 | 下载 |
AFV121KHR5 | NXP 恩智浦 | 下载 |
AFV141KGSR5 | NXP 恩智浦 | 下载 |
AFV141KHSR5 | NXP 恩智浦 | 下载 |
AFV141KHR5 | NXP 恩智浦 | 下载 |
AFV10700HR5 | NXP 恩智浦 | 下载 |
AFV10700HSR5 | NXP 恩智浦 | 下载 |
AFV121KHSR5 | NXP 恩智浦 | 下载 |